www.Datasheet-PDF.com

3DD6802A3D-H Datasheet PDF

3DD6802A3D-H
Huajing Microelectronics

Part Number 3DD6802A3D-H
Description Silicon NPN bipolar transistor
Page 4 Pages
3DD6802A3D-H datasheet pdf
Download PDF for PC
3DD6802A3D-H pdf
View HTML (Mobile)
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD6802 A3D-H
R
产品概述
3DD6802 A3D-H 是硅
NPN 型功率开关晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少子寿命控制
技术,集成了源抗饱和网
了产品击穿
开关速度可靠性
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
高温特性好
合适的开关速度
可靠性高
应用
充电器
适配器
一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
450
4
40
V
A
W
封装 TO-251
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
(非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
800
450
9
4
8
2
4
1.15
40
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值
典型值
最大值
3.125
108
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/4

















No preview available


3DD6802A3D-H datasheet pdf
Download PDF for PC
3DD6802A3D-H pdf
View HTML (Mobile)

Related : Start with 3DD6802A3D- Part Numbers by
3DD6802A3D-H Silicon NPN bipolar transistor 3DD6802A3D-H
Huajing Microelectronics
3DD6802A3D-H pdf



Index :   0   1   2   3   4   5   6   7   8   9   A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z   

This is a individually operated, non profit site. If this site is good enough to show, please introduce this site to others.
Since 2010   ::   HOME   ::   Privacy Policy + Contact