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3DD4518A1D Datasheet PDF

3DD4518A1D
Huajing Microelectronics

Part Number 3DD4518A1D
Description Silicon NPN Transistor
Page 5 Pages
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4518 A1D
R
产品概述
3DD4518 A1D-H 是硅
NPN 型功率开关晶体管
产品采用平面工艺压环
终端构和少子寿命控制
技术了产品击穿
开关速度可靠性
存储条件和焊接温度
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
高温特性好
合适的开关速度
可靠性高
应用
充电器
电源转换
一般功率开关电路
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
450
1.8
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到环境的热阻
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
450
9
1.8
3.6
0.9
1.8
0.8
150
-55150
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/5

















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