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3DD4540A7 Datasheet PDF

3DD4540A7
Huajing Microelectronics

Part Number 3DD4540A7
Description Silicon NPN Transistor
Page 4 Pages
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4540 A7
R
产品概述
3DD4540 A7 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
成了有源抗饱和网络
高了产品击穿电压开关
和可靠性。
产品特点
开关损耗
反向漏电流小
特性好
合适的开关
可靠性高
应用
充电器;
电子镇流器
功率开关电源电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
450
4
50
V
A
W
封装 TO-126F
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
450
9
4
8
2
4
1.5
50
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值
典型值
2012
最大值
2.50
83.3
单位
/W
/W
1/4

















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