W2XN9386 Datasheet PDF - XINSUN

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W2XN9386
XINSUN

Part Number W2XN9386
Description Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors
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江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片
W2XN9386
低频放大管壳额定双极型晶体管
文件编号
版本号
页码
XS-J-055
13-A2-03
1/3
1 主要用途及主要特点
1.1 主要用途
用 W2XN9386 封装的成品管主要用于电子节能灯、电子镇流器、电子变压器以及计算机电源的功
率开关电路等。
1.2 主要特点
z 高耐压
z 开关损耗低,可靠性高
z 高开关速度
2 芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(mm×mm)
3.86×3.86
芯片厚度(µm)
划片道*尺寸(µm)
250±20
74
键合区面积
基区
572×1064
(µm2)
发射区
600×1257
钝化层
PIA
正面电极
金属
厚度(µm)
5±0.5
背面电极
金属
硅片直径(㎜)
φ125
装片要求(推荐)
焊料
键合要求(推荐)
铝丝;E 区:φ300μm,
一根;B 区:φ200μm,
* 划片道位置示意图:
3 电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下)
3.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25℃
参数名称
符号 额定值
集电极-基极电压
VCB0 700
集电极-发射极电压
VCE0 400
发射极-基极电压
VEB0 9
集电极电流
IC 8
耗散功率(Tamb=25℃)
Ptot 3
结温
Tj 150
贮存温度
Tstg -55-150
单位
V
V
V
A
W
备注
推荐封装形式:TO-3P
推荐成品型号:3DD13009
江阴新顺微电子有限公司
地 址:江苏省江阴市滨江中路 275
网址:http://www.xinshun.cn
电 话:(051086851182 86852109
传真:(051086851532



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W2XN9386
低频放大管壳额定双极型晶体管
文件编号
版本号
页码
XS-J-055
13-A2-03
2/3
3.2 电参数
除非另有规定,Tamb= 25℃
参数名称
符号
测试条件
集电极-基极截止电流
ICB0 VCB=700V, IE=0
发射极-基极截止电流
IEB0 VEB=9V ,IC=0
共发射极正向电流传输比的静
态值
hFE
VCE=5V, IC=3A
集电极-发射极饱和电压
VCEsat
IC=5A, IB=1A
贮存时间
ts IC=0.5A(UI9600)
特征频率
fT VCE=10V, IC= 0.5A
规范值
最小 典型 最大
100
100
8 40
1
2.0 10.0
4
单位
μA
μA
V
μS
MHz
3.3 典型特性曲线
hFE - IC
50
45 VCE=5V
40
35
30
25
20 T amb = 1 2 5 0C
15 T amb = 7 5 0C
10 T amb = 2 5 0C
5
0
1E-3 0.01
0.1
1
10
IC, Collector Current( A )
VCEsat- I
7
I C/I B = 5
6
5
4
3 Tamb =125 0C
Tamb = 75 0C
2 Tamb = 25 0C
1
0
0.01 0.1 1 10
I c , Col l ect or Current ( A )
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低频放大管壳额定双极型晶体管
文件编号
版本号
页码
XS-J-055
13-A2-03
3/3
VBEsat- I
1.4
1.2 Tamb =1 2 5 0C
1.0 Tamb = 7 5 0C
0.8 Tamb = 2 5 0C
I C/I B = 5
0.6
0.4
0.2
0.0
0.01
0.1 1
I C, Col l ector Current( A )
10
注意事项:
z 芯片存储条件(推荐):氮气保护,温度 25±5℃,湿度≤45%;
z 本产品说明书仅供参考,不作为合同的一部分,具体以双方签订的技术协议为准;
z 本产品说明书如有版本变更,恕不另行告知!客户在下单前应获取最新版本资料并验证相关信
息是否完整和更新;
z 任何半导体产品在特定条件下都有发生失效或故障的可能,买方有责任在使用新顺产品时遵守
安全使用标准并采取安全措施,以避免潜在的失效或故障风险造成人身伤害或财产损失的发生。
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