JCS50N06VH Datasheet PDF - JILIN SINO-MICROELECTRONICS

www.Datasheet-PDF.com

JCS50N06VH
JILIN SINO-MICROELECTRONICS

Part Number JCS50N06VH
Description N-CHANNEL MOSFET
Page 11 Pages


JCS50N06VH datasheet pdf
Download PDF
JCS50N06VH pdf
View PDF for Mobile

No Preview Available !

N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS50N06H
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID
VDSS
Rdson-max
(@Vgs=10V)
Qg-typ
50 A
60 V
23 m
34 nC
用途
高频开关电源
UPS 电源
APPLICATIONS
High frequency switch
mode power supplies
UPS
产品特性
低栅极电荷
Crss
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗 dv/dt 能力
RoHS 产品
FEATURES
Low gate charge
Low Crss
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
JCS50N06CH-O-C-N-B
JCS50N06FH-O-F-N-B
JCS50N06VH-O-V-N-B
JCS50N06RH-O-R-N-B
JCS50N06RH-O-R-N-A
JCS50N06CH
JCS50N06FH
JCS50N06VH
JCS50N06RH
JCS50N06RH
封装
Package
TO-220C
TO-220MF
IPAK
DPAK
DPAK
无卤素
Halogen
Free
NO
NO
NO
NO
NO
包装
Packaging
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
卷盘 Reel
器件重量
Device
Weight
2.06 g(typ)
2.22 g(typ)
0.35 g(typ)
0.35 g(typ)
0.35 g(typ)
版本:201510D
1/11



No Preview Available !

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
JCS50N06H
项目
Parameter
符号
数 值 Value
单位
Symbol JCS50N06RH/VH JCS50N06CH JCS50N06FH Unit
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
VDSS
连续漏极电流
Drain Current -continuous
ID
T=25
T=100
最大脉冲漏极电流(1)
Drain Current – pulsenote 1
IDM
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
单脉冲雪崩能量(2)
Single Pulsed Avalanche Energy
note 2
EAS
雪崩电流(1)
Avalanche Currentnote 1
IAR
重复雪崩能量(注 1
Repetitive Avalanche Energynote EAR
1
60
50
31.7
200*
±20
500
50
8.75 10.3
50*
31.7*
V
A
A
A
V
mJ
A
5.6 mJ
二极管反向恢复最大电压变化速率
(3)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt note 3
7.0 V/ns
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25
-Derate
above
25
87.5
0.70
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature TJTSTG
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
TL
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
103.8
0.83
-55+150
300
56 W
0.45 W/
版本:201510D
2/11



No Preview Available !

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
JCS50N06H
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
漏-源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Symbol
Tests conditions
BVDSS
ID=250μA, VGS=0V
ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to
TJ 25
Min Typ Max Units
60 - - V
- 0.6 - V/
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极体漏电流
IDSS
VDS=60V,VGS=0V, TC=25
VDS=48V, TC=125
-
-
- 1 μA
- 10 μA
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极体漏电流
IGSSF
VDS=0V, VGS =30V
- - 100 nA
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
IGSSR
VDS=0V, VGS =-30V
- - -100 nA
VGS(th)
VDS = VGS , ID=250μA
2.0 - 4.0 V
Static Drain-Source
RDS(ON)
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
gfs
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
Ciss
输出电容
Output capacitance
Coss
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
Crss
VGS =10V , ID=25A
- 19 23 mΩ
VDS = 30V, ID=25Anote 4- 30 - S
VDS=25V,
VGS =0V,
f=1.0MHZ
- 900 1125 pF
- 430 540 pF
- 80 100 pF
版本:201510D
3/11



No Preview Available !

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
td(on)
VDD=30V,ID=50A,RG=50Ω
上升时间 Turn-On rise time
延迟时间 Turn-Off delay time
tr
td(off)
VGS =10V
note 45
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
Qg
Qgs
Qgd
VDS =48V ,
ID=50A
VGS =10V
note 45
JCS50N06H
- 40 90 ns
- 100 210 ns
- 90 190 ns
- 80 170 ns
- 34 45 nC
- 7 - nC
- 17 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS - - 50 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM - - 200 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD VGS=0V, IS=50A
- 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr VGS=0V, IS=50A
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr dIF/dt=100A/μs (note 4)
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
- 50 - ns
- 80 - nC
项目
Parameter
符号
最大 Max
单位
SymbolJCS50N06RH/VHJCS50N06CHJCS50N06FH Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
结到环境的热阻
Rth(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
1.43
1.20
62.5
2.22 /W
/W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=0.4mH, IAS=50A, VDD=25V, RG=25 Ω,起始
结温 TJ=25
3ISD ≤50A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2
5:基本与工作温度无关
Notes:
1Pulse width limited by maximum junction
temperature
2L=0.4mH, IAS=50A, VDD=25V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25
3ISD ≤50A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25
4Pulse TestPulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2
5Essentially independent of operating temperature
版本:201510D
4/11



JCS50N06VH datasheet pdf
Download PDF
JCS50N06VH pdf
View PDF for Mobile


Related : Start with JCS50N06V Part Numbers by
JCS50N06VH N-CHANNEL MOSFET JCS50N06VH
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS50N06VH pdf

Index :   0   1   2   3   4   5   6   7   8   9   A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z   

This is a individually operated, non profit site. If this site is good enough to show, please introduce this site to others.
Since 2010   ::   HOME   ::   Contact