EMF16P01VAT Datasheet PDF - Excelliance MOS

www.Datasheet-PDF.com

EMF16P01VAT
Excelliance MOS

Part Number EMF16P01VAT
Description Field Effect Transistor
Page 5 Pages


EMF16P01VAT datasheet pdf
View PDF for PC
EMF16P01VAT pdf
View PDF for Mobile


No Preview Available !

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
10V 
D
RDSON (MAX.) 
16mΩ 
ID 
10A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
Bottom View
S DD
SD
GD D
PIN 1
SYMBOL 
EMF16P01VAT
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
±8 
10 
7.8 
40 
2.08 
1.33 
55 to 150 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
360°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
12 
°C / W 
60 
2015/2/26 
p.1 



No Preview Available !

 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMF16P01VAT
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = ‐250A 
VDS = VGS, ID = ‐250A 
VDS = 0V, VGS = ±8V 
VDS = ‐8V, VGS = 0V 
VDS = ‐8V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = ‐5V, VGS = ‐4.5V 
VGS = ‐4.5V, ID = ‐6A 
VGS = ‐2.5V, ID = ‐5A 
VGS = ‐1.8V, ID = ‐3A 
VDS = ‐5V, ID = ‐6A 
DYNAMIC 
10   
 
0.35  ‐0.75 1.20
    ±100
    ‐1 
    ‐10 
10   
 
  12 16 
  18 24 
  22 32 
  16
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = ‐5V, f = 1MHz 
 
VDS = ‐6V, VGS = ‐4.5V, 
ID = ‐6A 
 
VDS = ‐5V,   
ID = ‐1A, VGS = ‐4.5V, RGS = 6Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS 
ISM 
VSD 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
 
 
 
1723
561
431
13.9
2.5
4.8
15
25
40
30
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  ‐3 
  ‐12 
  ‐1.2
pF
nC
nS
A 
V 
2015/2/26 
p.2 



No Preview Available !

 
Ordering & Marking Information: 
 
Device Name: EMF16P01VAT for EDFN 2 x 2 
 
 
  2F
  YWW
 
2F: Device Name, 2F for EMF16P01VAT
YWW: Date Code 
 
 
Outline Drawing 
 
D
 
D1
 
D2
 
 F
 
 
  K4
K3
 b
  K5
 
 
e
 
Dimension in mm 
EMF16P01VAT
Dimension  A  A1  b  c  D  D1 D2  E  E1 E2  e  F  f  K1  K2  L  K3  K4  K5 
Min. 
0.50  0.00  0.25   1.9  1.0 0.13 1.9 1.1 0.65  
 
  0.306  0.10  0.2  0.10 0.27 0.17
Typ.    0.02  0.30 0.1  2.0  1.1 0.25 2.0 1.2 0.75 0.65 0.15 45˚  0.356  0.15  0.25 0.15   0.22
Max. 
0.65  0.05  0.35   2.1  1.2 0.35 2.1 1.3 0.88  
 
  0.406  0.20  0.3 0.20   0.27
Recommended minimum pads
 
0.4 0.65
 
  0.3
 
1.1
  0.33
2015/2/26 
0.25
p.3 



No Preview Available !

 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  24
 
Typical output characteristics
VG  S = ‐4.5 V
  18
 
  12
 
6
 
 0
0
 
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
1.8V
0.5 1
1.5 2
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
2.5
 
  Normalized onResistance v.s. Junction Temperature
1.8
  I  D = ‐6A
1.6 V G S   = ‐4.5V
 
  1.4
  1.2
  1.0
 
0.8
 
0.6
  50 25 0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
 
3000
 
  2500
Capacitance Characteristics
f =1MHz
VGS=0 V
  2000
Ciss
  1500
 
1000
  Coss
  500 Crss
 
0
0 2.5 5
7.5 10
‐ VD S  , DrainSource Voltage( V )
 
 
 
 
2015/2/26 
  EMF16P01VAT
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.07
I D  = ‐ 3A
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02 TA   = 125°C
0.01
TA   = 25°C
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
‐ VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
5
I D  = ‐ 6A
4
3
Gate Charge Characteristics
VD  S = ‐ 6V
2
1
0
0 4 8 12 16
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
20
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG  S  = 0V
1
0.1
TA   = 125°C 25°C
55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.4 



EMF16P01VAT datasheet pdf
Download PDF
EMF16P01VAT pdf
View PDF for Mobile


Related : Start with EMF16P01VA Part Numbers by
EMF16P01VAT Field Effect Transistor EMF16P01VAT
Excelliance MOS
EMF16P01VAT pdf

Index :   0   1   2   3   4   5   6   7   8   9   A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z   

This is a individually operated, non profit site. If this site is good enough to show, please introduce this site to others.
Since 2010   ::   HOME   ::   Privacy Policy + Contact