EMD09N08H Datasheet PDF - Excelliance MOS

www.Datasheet-PDF.com

EMD09N08H
Excelliance MOS

Part Number EMD09N08H
Description Field Effect Transistor
Page 6 Pages


EMD09N08H datasheet pdf
View PDF for PC
EMD09N08H pdf
View PDF for Mobile


No Preview Available !

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
D
RDSON (MAX.) 
9mΩ 
ID  56A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.3mH, ID=45A, RG=25Ω 
L = 0.1mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/4/9 
EMD09N08H
LIMITS 
±25 
56 
38 
170 
45 
303 
101 
50 
20 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.5 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 



No Preview Available !

 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMD09N08H
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±25V 
VDS = 60V, VGS = 0V 
VDS = 50V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 30A 
VDS = 5V, ID = 30A 
DYNAMIC 
80   
  V 
2.0  3.0 4.0 
    ±100 nA
    1  A
    25 
56   
  A 
  7.5 9  mΩ
  40   S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
VDS = 40V, VGS = 10V, 
ID = 30A 
 
VDS = 40V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
  3905
  378
  363
  2.5
  64
  19
  22
  30
  200
  100
  150
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
pF
Ω 
nC
nS
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS 
ISM 
VSD 
Reverse Recovery Time   
trr 
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
IF = 30A, dlF/dt = 100A / S 
 
    56 
A 
    170
    1.3  V 
  130   nS
  400   nC
2015/4/9 
p.2 



No Preview Available !

 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMD09N08H for EDFN 5 x 6 
 
    D09
 
  N08
ABCDEFG
 
D09N08: Device Name 
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2015/4/9 
 
EMD09N08H
p.3 



No Preview Available !

 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  100
OnRegion Characteristics
VG  S = 10V
 
80
8.0V 7.0V
 
  60
  40
 
20
 
 0
01
2
34 5
  V D S ‐ Drain Source Voltage( V )
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.9
I D  = 30A
  VG  S   = 10V
1.6
 
  1.3
  1.0
 
  0.7
  0.4
50 25
0 25
50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (° C)
 
  60
Transfer Characteristics
  VD  S = 10V
50
TA   = ‐55°C
 
40
 
30
 
  20
25°C
125°C
  10
 0
23
45 6
  VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2015/4/9 
  EMD09N08H
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
VG  S  = 7.0 V
8.0 V
10 V
20 40 60
I D  ‐ Drain Current( A )
80
100
0.045
0.040
0.035
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 30 A
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
2
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG  S  = 0V
1
0.1 T A  = 125°C 25°C
0.01
55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4 



EMD09N08H datasheet pdf
Download PDF
EMD09N08H pdf
View PDF for Mobile


Related : Start with EMD09N08 Part Numbers by
EMD09N08A Field Effect Transistor EMD09N08A
Excelliance MOS
EMD09N08A pdf
EMD09N08E Field Effect Transistor EMD09N08E
Excelliance MOS
EMD09N08E pdf
EMD09N08H Field Effect Transistor EMD09N08H
Excelliance MOS
EMD09N08H pdf

Index :   0   1   2   3   4   5   6   7   8   9   A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z   

This is a individually operated, non profit site. If this site is good enough to show, please introduce this site to others.
Since 2010   ::   HOME   ::   Privacy Policy + Contact