CS2N60 Datasheet PDF - ETC

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CS2N60
ETC

Part Number CS2N60
Description VDMOS Transistor
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华晶分立器件
CS2N60(F)
CS2N60(F)VDMOS 晶体管
1.概述与特点
CS2N60(F)N 沟道 600V 系列 VDMOS 晶体管,主要用于电源适配器、充电器等各种功率开
关电路。
具有如下特点:
开关速度快
通态电阻小
可并联使用
驱动简单
封装形式:
产品名称
CS2N60
CS2N60F
封装形式
TO-220
TO-220F
VDSS
600V
RDS(ON)MAX
4.6
ID
2.1A
2.电特性
2.1 极限值(除非另有规定,TC=25℃)
参数名称
符号
CS4N60
CS4N60F
单位
漏源反向电压
VDSS
600
V
漏极电流(连续)
漏极电流(脉冲)
ID 2.1
IDM 8.4
A
栅源反向电压
VGS ±30
V
单脉冲能量
EAS 84 mJ
热阻(结到壳)
热阻(结到环境)
RθJC
RθJA
2.3 5.5
62.5 62.5
℃/W
耗散功率
PD 54 23 W
最高结温
贮存温度
TJ
TSTG
150
-55150
2.2 电参数(除非另有规定,TC=25℃)
2.2.1 截止特性
参数名称
符号
测试条件
规范值
最小 典型 最大
单位
漏源反向电压
反向电压的温度系数
漏源截止电流
栅源截止电流
BVDSS
BVDSS/TJ
IDSS
IGSS
VGS=0V, ID=250µA
ID = 250µA
VDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 25
VDS = 480V, VGS = 0V, TJ = 125
VGS = ±30V
600
V
0.7 V/
25
250 µA
±100 nA
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华晶分立器件
CS2N60(F)
2.2.2 开启特性
参数名称
符号
通态电阻
RDS(ON)
阈值电压
VGS(TH)
跨导
gfs
脉冲测试 tp380µs,δ≤2%
测试条件
VGS=10V,ID=1.3A
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS=15V, ID = 1.3A
规范值
最小 典型 最大
4.6
单位
2.0 4.0 V
1.4 S
2.2.3 动态特性
参数名称
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
栅源电荷
栅漏电荷
2.2.4 开关特性
参数名称
延迟时间(开启)
上升时间
延迟时间(关断)
下降时间
2.2.5 源漏二极管特性
参数名称
源漏二极管脉冲电流
源漏二极管正向压降
测试条件
Ciss
Coss
VGS = 0V VDS = 25V
f = 1.0MHz
Crss
Qg
Qgs ID =2.1A VDD =300V
Qgd
规范值
最小 典型 最大
330
46
9.0
12.5
2.2
6.0
单位
pF
nC
测试条件
规范值
单位
最小 典型 最大
td(ON)
trise
td(OFF)
tfall
ID =2.1A
VDD = 300V
VGS = 10V
RG = 18
13
13
ns
34
26
测试条件
ISM
VSD IS=2.1A,VGS=0V
规范值
最小 典型 最大
8.4
1.5
单位
A
V
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华晶分立器件
3.特性曲线
曲线列表:
图一 安全工作区曲线(以 CS2N60 为例) 图七
图二
图三
图四
PD-TC曲线(以CS2N60 为例)
ID-TC曲线
典型输出特性曲线
图八
图九
图十
图五 结到管壳热阻曲线(以 CS2N60 为例) 图十一
图六 最大峰值电流
图十二
典型传输特性曲线
RDS(ON)-VGS曲线
RDS(ON)-ID曲线
RDS(ON)-TJ曲线
VGS(TH)-TJ曲线
C-VDS曲线
CS2N60(F)
图一 安全工作区曲线
图二 PD-TC关系曲线
图三 ID-TC关系曲线
VDS(V)
TC()
图四 典型输出特性曲线
TC()
VDS(V)
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华晶分立器件
图五 结到管壳热阻
CS2N60(F)
图六 最大峰值电流
tp(s)
图七 典型传输特性曲线
图八 RDS(ON)-VGS曲线
tp(s)
VGS(V)
VGS(V)
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