APD050A Datasheet PDF - CETC

www.Datasheet-PDF.com

APD050A
CETC

Part Number APD050A
Description InGaAs Photodiode Chip
Page 4 Pages


APD050A datasheet pdf
View PDF for PC
APD050A pdf
View PDF for Mobile


No Preview Available !

44 中国电子科技集团公司第四十四研究所
China electronics Technology Group Corp.No.44 Research Institute
InGaAs 光电二极管芯片——APD050A
InGaAs Photodiode ChipAPD050A
— 应用范围 Applications
吉比特以太网、同步光网络 OC-48、吉比特无源光网络、光纤信道
Gigabit EthernetSONET OC-48GPONFiber Channel
— 最大绝对额定值 Absolute Maximum Rating
参数名称 Parameter
符号 Symbol
额定值 Rating
最小 Min 最大 Max
单位 Unit
APD 偏置电压 APD voltage supply
工作温度 Operating temperature
贮存温度 Storage temperature
正向电流 Forward current
反向电流 Reverse current
静电放电敏感度 ESD susceptibility
VPD
TC
TSTG
IF
IR
-
- VBR
-45 +85
-45 +125
V
- 5 mA
- 3 mA
500 -
V
— 光电性能 The Opto-electronic Characteristics@Tc=22±3
特性参数 Parameters
符号
Sym.
测试条件
Test conditions
最小 典型 最大
Min Typ Max
光谱响应范围 Response Spectrum
λ VR=VBR-3V
10001680
光敏面直径 Photosensitive diameter
Φ
50
单位
Unit
nm
μm
响应度 Responsivity
Re λ=1.55μm,φe=1μw,VR=VBR-3V 10
-
-
倍增因子 Multiplication factor
M λ=1.55μm,φe=1μw,VR=VBR-3V 10
-
-
最大增益 Maximum multiplication factor
Mmax λ=1.55μm,φe=1μw,VR=VBR-1V 20
-
-
反向击穿电压 Reverse breakdown voltage
VBR ID=100μA, φe=0μw
40 - 50
反向穿通电压 Punch-through voltage
VP λ=1.55μm,φe=1μw,M=1.1
20 - 30
工作电压范围1Range of operation voltage VP λ=1.55μm,φe=1μw
18 20
-
暗电流 Dark current
ID VR=VBR-3V, φe=0
- - 10
正向压降 Forward voltage
VF IF=1mA
- 0.7 1.0
电容 Capacitance
C VR=VBR-3V
- - 0.5
-3dB 截止频率 -3dB cut-off frequency
BW VR=VBR-3V, RL=50
2.5 -
-
击穿电压温度系数
Temperature coefficient of VBR
γ ID=100μA
,φe=0μw
-45+200.13 0.14 0.15
+20+850.08 0.11 0.12
1工作电压范围:反向击穿电压与反向穿通电压的差值,即 VBR- VP
Range of operation voltageThe difference of the reverse breakdown voltage and the punch-through voltage.
A/W
-
-
V
V
V
nA
V
pF
GHz
V/
1
联系电话: 023-62812692(技术部) 023-62830965(销售部)
通讯地址:重庆南坪花园路 14 号
传真:023-62831524
邮编:400060



No Preview Available !

44 中国电子科技集团公司第四十四研究所
China electronics Technology Group Corp.No.44 Research Institute
— 典型特性曲线 Typical Performance Curves@Tc=22±3
1 光电流、暗电流曲线
Figure 1 Photo Current and Dark Current vs. Reverse Voltage
2 倍增因子与输入光功率关系
Figure 2 Multiplication Factor vs. Input Optical Power
3 APD 芯片带宽与倍增因子关系
4 APD-TIA(GN1032W)带宽与倍增因子关系
Figure 3 APD Bandwidth vs. Multiplication Factor Figure 4 APD-TIA(GN1032W) Bandwidth vs. Multiplication Factor
5 APD-TIA(GN1032W)灵敏度与偏置电压关系
Figure 5 APD-TIA(GN1032W) Sensitivity vs.Bias Voltage
6 暗电流与温度关系
Figure 6 Dark Current vs. Temperature
联系电话: 023-62812692(技术部) 023-62830965(销售部)
通讯地址:重庆南坪花园路 14 号
2
传真:023-62831524
邮编:400060



No Preview Available !

44 中国电子科技集团公司第四十四研究所
China electronics Technology Group Corp.No.44 Research Institute
(a) (b)
7 击穿电压温度系数 (a)-45℃~+20℃,(b)+20℃~+85
Figure 7 Breakdown Voltage vs. Temperature (a)-45℃~+20, (b)+20℃~+85
— 芯片结构图及尺寸 Outline Diagram & Die Dimensions
P极焊盘
Bond Pad
光敏面
延伸电极
Photosensitive Area Extend Electrode
APD50A
芯片尺寸 Die Size / L1
芯片厚度 Die Thickness
P 极焊盘直径 Bond Pad Diameter /φB
光敏面直径 Photosensitive Diameter /φA
延伸电极长度 Extend Electrode Length / L2
P-电极 P metal
N-电极 N metal
300μm×300μm
150±10μm
65μm (推荐压焊金丝 18μm)
50μm
25μm
Au
Au
— 结构及功能介绍 Introduction
InGaAs 雪崩光电二极管芯片结构为平面正照型,正面为 P 极,背面为 N 极,其基本功能
为将光信号转换为电信号,并对光电流进行内部放大。
The structure of InGaAs avalanche photodiode, which can convert optical signal to current signal and
multiple it internally, is planar and front illuminated with P electrode on the top and N electrode on the bottom.
3
联系电话: 023-62812692(技术部) 023-62830965(销售部)
通讯地址:重庆南坪花园路 14 号
传真:023-62831524
邮编:400060



No Preview Available !

44 中国电子科技集团公司第四十四研究所
China electronics Technology Group Corp.No.44 Research Institute
— 使用注意事项 Precautions
z 应采取必要的 ESD 防护措施,以避免芯片被静电损伤。
Take appropriate ESD protections to avoid damage.
z 由于 InP 基芯片易碎,取用时需十分小心。请勿使用镊子,推荐使用真空吸附方式取用芯片。
InP chips are fragile and easily damaged. Special caution should be used when handling. Do not handle with
tweezers. A vacuum tip with a flat surface is recommended.
z 压焊力度、温度等参数需小心设置,以免损坏芯片。
Bonding force and temperature should be applied in a gradual fashion.
— 质量可靠性保证 Qualification Information
本产品符合 Telcordia-GR-468-CORE 中对产品可靠性规定的各项要求。
All APD chips have passed all qualification requirements as specified by Telcordia-GR-468.
版本号:APD050A-1107
VersionAPD050A-1107
联系电话: 023-62812692(技术部) 023-62830965(销售部)
通讯地址:重庆南坪花园路 14 号
4
传真:023-62831524
邮编:400060



APD050A datasheet pdf
Download PDF
APD050A pdf
View PDF for Mobile


Related : Start with APD050 Part Numbers by
APD050A InGaAs Photodiode Chip APD050A
CETC
APD050A pdf

Index :   0   1   2   3   4   5   6   7   8   9   A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z   

This is a individually operated, non profit site. If this site is good enough to show, please introduce this site to others.
Since 2010   ::   HOME   ::   Privacy Policy + Contact