200GB60DLC Datasheet PDF - Eupec

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200GB60DLC
Eupec

Part Number 200GB60DLC
Description BSM200GB60DLC
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Tc= 50°C
Tc= 25°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP= 1ms, Tc= 50°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP= 1ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
600
200
230
400
730
+/- 20V
200
400
4.050
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 4,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
VCE sat
min.
-
-
typ.
1,95
2,20
max.
2,45
-
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
V
V
Cies - 9 - nF
Cres - 0,8 - nF
- 1 500 µA
ICES
- 1 - mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: Andreas Vetter
approved by: Michael Hornkamp
date of publication: 2000-04-26
revision: 1
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BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08



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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
Modulinduktivität
stray inductance module
IC= 200A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 1,5, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 1,5, Tvj= 125°C
IC= 200A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 1,5, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 1,5, Tvj= 125°C
IC= 200A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 1,5, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 1,5, Tvj= 125°C
IC= 200A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 1,5, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 1,5, Tvj= 125°C
IC= 200A, VCC= 300V, VGE= 15V
RG= 1,5, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
IC= 200A, VCC= 300V, VGE= 15V
RG= 1,5, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
tP 10µsec, VGE 15V
Tvj125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE ·di/dt
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
Tc= 25°C
min. typ. max.
td,on - 163 - ns
- 180 - ns
tr - 43 - ns
- 49 - ns
td,off - 253 - ns
- 285 - ns
tf - 33 - ns
- 41 - ns
Eon - 4,6 - mJ
Eoff - 6,3 - mJ
ISC
- 900 -
A
LσCE - 40 - nH
RCC'+EE'
-
0,9
- m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recoverred charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
IF= 200A, -diF/dt= 4000A/µsec
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
IF= 200A, -diF/dt= 4000A/µsec
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
IF= 200A, -diF/dt= 4000A/µsec
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
min. typ. max.
- 1,25 1,6 V
VF
- 1,20 -
V
IRM
- 154 -
A
- 188 -
A
Qr - 12,1 - µC
- 19,7 - µC
Erec - - - mJ
- 4,1 - mJ
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode / diode, DC
pro Modul / per module
λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K
RthJC
min.
-
-
typ.
-
-
max.
0,17
0,29
K/W
K/W
RthCK
- 0,02
- K/W
Tvj - - 150 °C
Top -40 - 125 °C
Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage insulation
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung
mounting torque
Schraube M6
screw M6
Gewicht
weight
Al2O3
15 mm
8,5 mm
275
5 Nm
M1
-15 +15 %
G 180 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Ausgangskennlinie (typisch)
Output characteristic (typical)
400
I C= f (VCE)
VGE= 15V
350
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
250
200
150
100
50
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
VCE [V]
3,0
3,5
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
Output characteristic (typical)
IC= f (VCE)
Tvj= 125°C
400
350
300
250
200
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
150
100
50
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
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